Компания Samsung продолжает свое продвижение в области развития флэш-памяти, и на днях общественности была представлена карта памяти, объемом целых 8 Гб. В основе устройства положена новая многоуровневая ячейка с высокой плотностью записи (MLC), произведенная по 60-нм техпроцессу. Новый техпроцесс, как сообщил источник, также способствует на "выходе" получить на 25% больше продукции, нежели при использовании 70-нм дизайна.
Это последнее достижение позволит Samsung предлагать потребителю 8 Гб карты, которые используют два вертикально помещенных в стек 4 Гб пакета. Появление новинок в продаже не заставит себя долго ждать. По сообщению источника, в магазинах 8 Гб "флэшки" на основе NAND памяти можно ожидать уже через месяц.

C облегчением вздохнули поклонники бренда SonyEricsson. В начале 2007 года на прилавки поступит долгожданная новинка. И не беда, что вся серия телефонов ограничена пятью штуками, что раскошелиться придётся на 8 000 000 рублей, и что до России не доедет ни один образец...
Дизайн телефона разработан дизайнером Джареном Го (Jaren Goh), подряд на изготовление уникального корпуса из титана и бриллиантов получила швейцарская компания VIPN. Цифровая начинка разработана SonyEricsson.

Характеристики:

Стандарты Wi_Fi, GPRS: класс 10, GSM: 900/1800/1900 МГц процессор intel, 400 Мгц

Операционная система Windows mobile 2005

Камера 4 Мп

Дисплей 2” 256 тыс. цветов TFT

Встроенная память 128 Мбайт, слот для карт памяти SD до 4 Гб