Компания Samsung продолжает свое продвижение в области развития флэш-памяти, и на днях общественности была представлена карта памяти, объемом целых 8 Гб. В основе устройства положена новая многоуровневая ячейка с высокой плотностью записи (MLC), произведенная по 60-нм техпроцессу. Новый техпроцесс, как сообщил источник, также способствует на "выходе" получить на 25% больше продукции, нежели при использовании 70-нм дизайна. Это последнее достижение позволит Samsung предлагать потребителю 8 Гб карты, которые используют два вертикально помещенных в стек 4 Гб пакета. Появление новинок в продаже не заставит себя долго ждать. По сообщению источника, в магазинах 8 Гб "флэшки" на основе NAND памяти можно ожидать уже через месяц.
Комментарии
